High brightness gain guided tapered lasers emitting at 1060 nm based on an asymmetric layer structure were designed, simulated and fabricated, demonstrating better beam quality than symmetric designs.


    Zugriff

    Zugriff prüfen

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Design of High-Brightness Tapered Lasers at 1060 nm Based on an Asymmetric Al-free Active Region Structure


    Beteiligte:
    Odriozola, H. (Autor:in) / Tijero, J. M. G. (Autor:in) / Esquivias, I. (Autor:in) / Borruel, L. (Autor:in) / Martin-Minguez, A. (Autor:in) / Michel, N. (Autor:in) / Calligaro, M. (Autor:in) / Lecomte, M. (Autor:in) / Parillaud, O. (Autor:in) / Krakowski, M. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2008-12-01


    Format / Umfang :

    223022 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Developments in tapered lasers at 980 nm to 1060 nm

    Mikulla, M. / Kelemen, M.T. / Weber, J. et al. | IEEE | 2003


    Improved brightness using tapered diode lasers

    Kelemen, M.T. / Weber, J. / Mikulla, M. et al. | IEEE | 2003


    High-brightness 1040-nm tapered diode lasers [4947-29]

    Kelemen, M. T. / Weber, J. / Rinner, F. et al. | British Library Conference Proceedings | 2003


    5.3 W CW high brightness 980-nm tapered diode lasers

    Paschke, K. / Swnpf, B. / Dittmar, F. et al. | IEEE | 2005


    Design strategies to increase the brightness of gain guided tapered lasers

    Borruel, L. / Odriozola, H. / Tijero, J. M. et al. | British Library Online Contents | 2008