We report InGaAs/InP uni-traveling-carrier photodiodes with thick depletion region with RF output power of 19 dBm at 25 GHz and 25 dBm at 5.5 GHz.


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    Titel :

    High-speed high-current InGaAs/InP photodiode with thick depletion region


    Beteiligte:
    Ning Duan, (Autor:in) / Ning Li, (Autor:in) / Demiguel, S. (Autor:in) / Campbell, J.C. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2005-01-01


    Format / Umfang :

    184323 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    High-Speed High-Current InGaAs/Inp Photodiode with Thick Depletion Region

    IEEE Lasers and Electro-optics Society | British Library Conference Proceedings | 2005




    Dark current reduction in fused InGaAs/Si avalanche photodiode

    Kang, Y. / Mages, P. / Pauchard, A. et al. | IEEE | 2001


    ThN4 Dark Current Reduction in Fused InGaAs/Si Avalanche Photodiode

    IEEE | British Library Conference Proceedings | 2001