Zugriff

    Zugriff prüfen

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    The Formation Of Strain-induced Quantum Well Wires By Low Damage Chemical Dry Etching


    Beteiligte:
    Tan, I.-H. (Autor:in) / Yasuda, T. (Autor:in) / Mirin, R. (Autor:in) / Lishan, D. (Autor:in) / Jayaraman, V. (Autor:in) / Prater, C. (Autor:in) / Hu, E.L. (Autor:in) / Bowers, J. (Autor:in) / Merz, J. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1991


    Format / Umfang :

    26453 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Etching And OMVPE Regrowth For GalnAs/lnP Quantum Wires

    Miyamoto, Y. / Arai, S. / Asada, M. | IEEE | 1991


    Dry Etch Damage In Quantum Wires

    Wilkinson, C.D.W. | IEEE | 1991


    Quantum Well Wires Using As Implantation Induced Intermixing in GaAs/AIGaAs

    Ooi, B.S. / Saher Helmy, A. / Tang, Y.S. et al. | IEEE | 1998


    Exciton Polaritons in a Grating of Quantum Well Wires

    D'Andrea, A. / Electromagnetics Academy / United States; National Aeronautics and Space Administration et al. | British Library Conference Proceedings | 1993


    Dependence on intrinsic strain of packaging-induced strain in quantum-well laser diodes

    Biermann, M.L. / Duran, S. / Tomm, J.W. et al. | IEEE | 2004