Low threshold 1.3-/spl mu/m CW lasing of self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots at 25/spl deg/C is presented. The developed multiplied high-density dot layers enabled us to achieve the threshold current 8 mA.


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    Titel :

    Low threshold (8 mA) 1.3-/spl mu/m CW lasing of InGaAs/InAs quantum dots at room temperature


    Beteiligte:
    Mukai, K. (Autor:in) / Nakata, Y. (Autor:in) / Otsubo, K. (Autor:in) / Sugawara, M. (Autor:in) / Yokoyama, N. (Autor:in) / Ishikawa, H. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1999-01-01


    Format / Umfang :

    135868 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch