We propose a FIN type Germanium-Silicon heterojunction light-emitting diode with metal gates on both sides. The metal gates provide the plasmon enhancement and the electrical modulation of the PN diode. Using the numerical analysis, we propose the optimal device structure to achieve the best light emitting efficiency.


    Zugriff

    Zugriff prüfen

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Design of surface-plasmon-enhanced Ge-Si light-emitting diode


    Beteiligte:
    Intae Jeong, (Autor:in) / Young June Park, (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.09.2011


    Format / Umfang :

    1055789 byte





    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Surface plasmon enhanced organic light emitting devices

    Mikhailovsky, A. / Ostrowski, J. / Bazan, G.C. | IEEE | 2004


    Surface plasmon enhanced light emitting efficiencies of InGaN/GaN quantum wells

    Okamoto, K. / Niki, I. / Shvartser, A. et al. | IEEE | 2004



    LIGHT EMITTING DIODE AND LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY COMPRISING THE SAME

    LEE YO SUB / HAN CHANG WOOK / CHOI HONG SEOK et al. | Europäisches Patentamt | 2018

    Freier Zugriff

    Light emitting diode traffic light

    HATANO TOMOHIKO | Europäisches Patentamt | 2015

    Freier Zugriff