Strong room-temperature intersubband-emission is obtained at 4.7 microns by using deep quantum wells and high barriers in the active region. The emission linewidth is narrow (/spl sim/20 meV) and the 80 K to 300 K emission ratio is low (/spl sim/2).


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    Titel :

    Room-temperature, mid-IR (/spl lambda/ = 4.7 /spl mu/m) electroluminescence from single-stage intersubband GaAs-based edge emitters


    Beteiligte:
    Xu, D.P. (Autor:in) / Mirabedini, A. (Autor:in) / D'Souza, M. (Autor:in) / Li, S. (Autor:in) / Botez, D. (Autor:in) / Shen, Y.-Z. (Autor:in) / Zory, P. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2004-01-01


    Format / Umfang :

    209183 byte



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch




    Dual wavelength intersubband emitters

    Sirtori, C. / Capasso, F. / Faist, J. et al. | IEEE | 1997


    Terahertz Emitters Based on Intersubband Transitions

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1998