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    Titel :

    Gan-based laser diodes with low-threshold current fabricated directly on masked sapphire substrate


    Beteiligte:
    Kunisato, T. (Autor:in) / Kano, T. (Autor:in) / Ohbo, H. (Autor:in) / Hayashi, N. (Autor:in) / Nomura, Y. (Autor:in) / Yamaguchi, T. (Autor:in) / Bata, M. (Autor:in) / Shono, M. (Autor:in) / Sawada, M. (Autor:in) / Ibaraki, A. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2003-01-01


    Format / Umfang :

    151420 byte



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Blue InGaN MQW Laser Diodes on Sapphire

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    Low-Threshold-Current 670nm Multi-Quantum-Well Laser Diodes

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1994


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