The development of high quality GaAs-based tunnel junctions grown by MBE was systematically studied. Fabricated Si/Be-doped GaAs tunnel junctions show record low junction resistance. The enhancement of lateral current spreading is demonstrated.


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    Titel :

    GaAs-based tunnel junctions for micro-cavity devices


    Beteiligte:
    Moller, C. (Autor:in) / Bottcher, J. (Autor:in) / Protsch, M. (Autor:in) / Kunzel, H. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2002


    Format / Umfang :

    157352 byte





    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch