The generation of narrow-band THz radiation is demonstrated in orientation patterned GaAs structures via frequency down-conversion of short optical pulses. Frequency of THz radiation is tunable in the range 0.8-3 THz. Optical to THz power conversion efficiency reaches 0.1%, corresponding to internal photon conversion efficiency of 10%.


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    Titel :

    Frequency tunable THz source based on optical down conversion in orientation patterned GaAs


    Beteiligte:
    Kozlov, V.G. (Autor:in) / Bliss, D. (Autor:in) / Vodopyanov, K.L. (Autor:in) / Fejer, M.M. (Autor:in) / Hurlbut, W. (Autor:in) / Lee, Y.-S. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2005


    Format / Umfang :

    294440 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    FA2-2 Frequency Tunable Thz Source Based On Optical Down-Conversion In Orientation Patterned GaAs

    Kozlov, V. / Bliss, D. / Vodopyanov, K. L. et al. | British Library Conference Proceedings | 2005