We present here a Gires-Tournois interferometer type of device, where the group delay depends on the absorption changes in the active layer. The intensity-dependent absorption in MQW material was employed to control GTI reflectivity and, consequently, the device dispersion.


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    Titel :

    Optically tunable dispersion compensators based on semiconductor Gires-Tournois interferometer


    Beteiligte:
    Isomaki, A. (Autor:in) / Vainionpaa, A. (Autor:in) / Lyytikainen, J. (Autor:in) / Okhotnikov, O.G. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2003


    Format / Umfang :

    70806 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch