Die Halbleitervorrichtung umfasst eine erste Leistungsversorgungsspannungsleitung, der eine Leistungsversorgungsspannung zugeführt wird, eine zweite Leistungsversorgungsspannungsleitung, ein erstes Impedanzelement, das zwischen der ersten Leistungsversorgungsspannungsleitung und der zweiten Leistungsversorgungsspannungsleitung vorgesehen ist, eine erste Referenzspannungsleitung, der eine Referenzspannung zugeführt wird, eine zweite Referenzspannungsleitung, ein zweites Impedanzelement, das zwischen der ersten Referenzspannungsleitung und der zweiten Referenzspannungsleitung vorgesehen ist, eine elektronische Schaltung, die zwischen der zweiten Leistungsversorgungsspannungsleitung und der zweiten Referenzspannungsleitung vorgesehen ist und eine vorbestimmte Verarbeitung an einem Eingangssignal durchführt, und die in Reihe zwischen der zweiten Leistungsversorgungsspannungsleitung und der zweiten Referenzspannungsleitung vorgesehen ist und Gates aufweist, die mit Drains verbunden sind, einen ersten Transistor, der ein P-Kanal-MOS-Transistor ist, und einen zweiten Transistor, der ein N-Kanal-MOS-Transistor ist.

    A semiconductor device includes a first power supply voltage line to which a power supply voltage is supplied, a second power supply voltage line, a first impedance element provided between the first power supply voltage line and the second power supply voltage line, a first reference voltage line to which a reference voltage is supplied, a second reference voltage line, a second impedance element provided between the first reference voltage line and the second reference voltage line, an electronic circuit provided between the second power supply voltage line and the second reference voltage line and performing a predetermined processing on an input signal, and provided in series between the second power supply voltage line and the second reference voltage line, and having gates connected to drains, a first transistor which is a P-channel MOS transistor, and a second transistor which is an N-channel MOS transistor.


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    Titel :

    Halbleitervorrichtung und Halbleitersystem


    Beteiligte:
    HAYASHIMOTO HAJIME (Autor:in) / SEWAKI KENJI (Autor:in)

    Erscheinungsdatum :

    12.06.2025


    Medientyp :

    Patent


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Deutsch


    Klassifikation :

    IPC:    H03K PULSE TECHNIQUE , Impulstechnik / B60R Fahrzeuge, Fahrzeugausstattung oder Fahrzeugteile, soweit nicht anderweitig vorgesehen , VEHICLES, VEHICLE FITTINGS, OR VEHICLE PARTS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR / G05F SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES , Systeme zum Regeln elektrischer oder magnetischer Veränderlicher



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