Verfahren zum Bilden einer Resiststruktur, welches die Schritte umfasst: – Vorsehen eines Substrats mit einem Material mit einem Brechungsindex n1; – Vorsehen einer Antireflexionsschicht auf der Rückfläche des Substrats, welche einen Halbleiter mit einer Bandlückenenergie von 3,4 eV oder weniger umfasst und einen Brechungsindex n2 aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass der durch (n1 – n2)2/(n1 + n2)2 ausgedrückte Reflexionsgrad 0,15 oder weniger beträgt; – Beschichten des Substrats mit einem Photoresist; – Abstrahlen von ultraviolettem Licht durch eine Photomaske auf das Photoresist, so dass mindestens ein Teil des Photoresist in einem Entwickler teilweise löslich wird, und – Einweichen des Substrats in dem Entwickler, um das lösliche Photoresist zu entfernen, dadurch gekennzeichnet, dass die Antireflexionsschicht ein aus der Gruppe bestehend aus ZnO, ZnSe, ZnTe, CdSe, CdS, CdTe gewähltes Material umfasst.
Verfahren zum Bilden einer Resiststruktur und dessen Verwendung zum Bilden einer Elektrodenstruktur und zum Herstellen eines akustischen Oberflächenwellenbauelements
09.02.2017
Patent
Elektronische Ressource
Deutsch
IPC: | G03F Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen , PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES / B60J WINDOWS, WINDSCREENS, NON-FIXED ROOFS, DOORS, OR SIMILAR DEVICES FOR VEHICLES , Fenster, Windschutzscheiben und bewegbare Dächer, Türen oder Ähnliches für Fahrzeuge / H01L Halbleiterbauelemente , SEMICONDUCTOR DEVICES / H03H IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS , Scheinwiderstandsnetzwerke, z.B. Resonanzkreise |
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