"Entwicklung hoch- und kosteneffizienter PV-Si Wafer" : Teilvorhaben: Weiterentwicklung der Quasimono-Technologie; Weiterentwicklung der Waferherstellung aus Quasimono-Material durch Trennschleifen mit gebundenem Korn : Akronym: ENOWA_II : Schlussbericht : Laufzeit: 01.01.2015-30.09.2016
Development of high - and costefficient PV-Si-Wafer (ENOWA II) : subproject: Development of Quasimono-technology; development of waferproduction - process made from Quasimono-material by grinding with fixed abrasives
2017
93, 2 ungezählte Blätter
Illustrationen, Diagramme
Förderkennzeichen BMWi 0325805A. - Verbund-Nummer 01158902
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Paralleltitel dem englischen Berichtsblatt entnommen
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Report
Deutsch