"Entwicklung, Optimierung und Charakterisierung von Dünnschichtmaterialien und -strukturen sowie Grenzflächen für Photovoltaische Anwendungen tetraedrisch gebundener Halbleiterschichten II" : (Basisforschung a-Si/a-Ge) ; Abschlußbericht für das Vorhaben ; durchgeführt von Januar 1995 bis Dezember 1997
Development, optimization and characterization of thin film materials and structures of tetrahedrally bonded amorphous semiconductors II
1998
116 S
graph. Darst
Förderkennzeichen BMFT 0329116B
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