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    Titel :

    Epitaxial growth of 6H silicon carbide in the temperature range 1320° to 1390° C


    Beteiligte:

    Erschienen in:

    D ; 7558


    Erscheinungsdatum :

    1974


    Format / Umfang :

    14 S


    Anmerkungen:

    Ill


    Medientyp :

    Buch


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





    Nr. 1390

    DataCite | 1872


    Nr. 1320

    DataCite | 1870

    Freier Zugriff

    Doppeltest:Mercedes 1117 und 1320

    Zeitzen,F. / Daimler-Benz,Stuttgart | Kraftfahrwesen | 1986