Epitaxial growth of 6H silicon carbide in the temperature range 1320° to 1390° C
1974
14 S
Ill
Buch
Englisch
Epitaxial Growth of 2H Silicon Carbide
Online Contents | 1997
DataCite | 1872
Doppeltest:Mercedes 1117 und 1320
Kraftfahrwesen | 1986
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