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    Titel :

    InGaN nanowires on silicon




    Ausgabe :

    1. Auflage


    Erscheinungsdatum :

    2019


    Format / Umfang :

    vi, 142 Seiten


    Anmerkungen:

    21 cm
    Illustrationen, Diagramme
    Literaturverzeichnis: Seite 127-138



    Medientyp :

    Hochschulschrift


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch , Deutsch



    Klassifikation :

    BKL:    50.94 Mikrosystemtechnik, Nanotechnologie / 33.68 Oberflächen, Dünne Schichten, Grenzflächen / 53.36 Energiedirektumwandler, elektrische Energiespeicher / 33.07 Spektroskopie




    400nm InGaN/GaN and InGaN/AlGaN multiquantum well light-emitting diodes

    Chang, S.J. / Kuo, C.H. / Su, Y.K. et al. | IEEE | 2003


    400nm InGaN/GaN and InGaN/AlGaN Multiquantum Well Light-emitting Diodes

    Chang, S. J. / Kuo, C. H. / Su, Y. K. et al. | British Library Conference Proceedings | 2003


    Effects of thermal annealing on InGaN/GaN quantum well structures with silicon doping

    Cheng, Y.-C. / Lin, E.-C. / Feng, S.-W. et al. | British Library Conference Proceedings | 2003


    Effects of thermal annealing on InGaN/GaN quantum well structures with silicon doping

    Yung-Chen Cheng, / En-Chiang Lin, / Shih-Wei Feng, et al. | IEEE | 2003