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    Titel :

    Improvement of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes by using a graded AlGaN superlattice hole reservoir layer


    Beteiligte:
    Wang, Xin (Autor:in) / Sun, Hui-Qing (Autor:in) / Guo, Zhi-You (Autor:in)

    Erschienen in:

    Optical materials ; 86 ; 133-137


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2018


    Format / Umfang :

    5 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Unbekannt


    Klassifikation :

    DDC:    535



    Short-Wavelength Ultraviolet Light-Emitting Diodes Based on AlGaN

    Razeghi, M. | British Library Conference Proceedings | 2005


    Short-wavelength ultraviolet light-emitting diodes based on AlGaN

    Razeghi, M. / Yasan, A. / McClintock, R. et al. | IEEE | 2005



    400nm InGaN/GaN and InGaN/AlGaN multiquantum well light-emitting diodes

    Chang, S.J. / Kuo, C.H. / Su, Y.K. et al. | IEEE | 2003


    400nm InGaN/GaN and InGaN/AlGaN Multiquantum Well Light-emitting Diodes

    Chang, S. J. / Kuo, C. H. / Su, Y. K. et al. | British Library Conference Proceedings | 2003