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    Titel :

    Gain Switching of Monolithic 1.3 μm InAs/GaAs Quantum Dot Lasers on Silicon


    Beteiligte:
    Hantschmann, C. (Autor:in) / Vasil'ev, P. P. (Autor:in) / Siming, C. (Autor:in) / Mengya, L. (Autor:in) / Seeds, A. J. (Autor:in) / Huiyun, L. (Autor:in) / Penty, R. V. (Autor:in) / White, I. H. (Autor:in)

    Erschienen in:

    JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY ; 36 , 18 ; 3837-3842


    Erscheinungsdatum :

    2018-01-01


    Format / Umfang :

    6 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    621.3692



    Overcoming Gain Saturation in InAs/GaAs Quantum Dot Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996


    Overcoming gain saturation in InAs/GaAs quantum dot lasers

    Schmidt, O.G. / Kirstaedter, N. / Mao, M.-H. et al. | IEEE | 1996




    InAs Quantum Dot Lasers on GaAs Substrate with 12 Layers

    Shimizu, H. / Saravanan, S. | IEEE | 2005