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    Titel :

    Influences of Mg doping and N vacancy on the optoelectronic properties of GaN nanowires


    Beteiligte:
    Xia, S. H. (Autor:in) / Liu, L. (Autor:in) / Kong, Y. (Autor:in) / Diao, Y. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    2016-01-01


    Format / Umfang :

    9 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    537.5



    Optoelectronic properties of Mg doping GaN nanowires

    Kong, Y. / Liu, L. / Xia, S. et al. | British Library Online Contents | 2016



    Integrated Optoelectronic Devices using Compound Semiconductor Nanowires

    Lasers and Electro-optics Society (Institute of Electrical and Electronics Engineers) | British Library Conference Proceedings | 2004


    Density functional theories study on optoelectronic properties of arsenic-doped GaN nanowires

    Zhang, Y. / Cui, Z. / Ding, Y. et al. | British Library Online Contents | 2016


    Mn, Cu Doping and Optical Properties of Highly Crystalline Ultralong ZnS Nanowires

    Chien, N.D. / Chung, H.V. / Huy, P.T. et al. | British Library Conference Proceedings | 2008