Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Design consideration of GaAs-based blocked-impurity-band detector with the absorbing layer formed by ion implantation


    Beteiligte:
    Wang, X. (Autor:in) / Wang, B. (Autor:in) / Hou, L. (Autor:in) / Xie, W. (Autor:in) / Chen, X. (Autor:in) / Pan, M. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.2015


    Format / Umfang :

    9 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    537.5




    Linear array performance based on Si:As blocked impurity band (BIB) [R detectors

    Sinitsa, S.P. / Frantsuzov, A.A. / Esaev, D.G. | IEEE | 1994


    Experimental and theoretical research on noise behaviors of epitaxial Si:P blocked-impurity-band detectors

    Wang, B. / Wang, X. / Chen, X. et al. | British Library Online Contents | 2016


    Single hull structure a shock-absorbing elastic member layer formed

    LEE SEUNG JAE / KANG SUNG MUK / LEE CHANG MIN et al. | Europäisches Patentamt | 2018

    Freier Zugriff

    Single hull structure a shock-absorbing elastic member layer formed

    Europäisches Patentamt | 2018

    Freier Zugriff