Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Optical gain analysis of strain-compensated InGaN-AlGaN quantum well active regions for lasers emitting at 420-500 nm




    Erscheinungsdatum :

    2008-01-01


    Format / Umfang :

    6 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    537.5



    Many-body optical gain of wurtzite InGaN quantum-well lasers

    Park, S.-H. / Chuang, S.-L. / Optical Society of America | British Library Conference Proceedings | 1998


    Well width dependence of threshold in InGaN/AlGaN quantum well lasers

    Chow, W.W. / Amano, H. / Takeuchi, T. | IEEE | 1999


    400nm InGaN/GaN and InGaN/AlGaN multiquantum well light-emitting diodes

    Chang, S.J. / Kuo, C.H. / Su, Y.K. et al. | IEEE | 2003


    400nm InGaN/GaN and InGaN/AlGaN Multiquantum Well Light-emitting Diodes

    Chang, S. J. / Kuo, C. H. / Su, Y. K. et al. | British Library Conference Proceedings | 2003


    Characterization of Gain- and Index-Guided InGaN/AlGaN Multiple Quantum Well Laser Diodes

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1998