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    Titel :

    Characteristics of InGaAs Submonolayer Quantum-Dot and InAs Quantum-Dot Photonic-Crystal Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers


    Beteiligte:
    Yang, H.-P.D. (Autor:in) / Hsu, I.-C. (Autor:in) / Chang, Y.-H. (Autor:in) / Lai, F.-I. (Autor:in) / Yu, H.-C. (Autor:in) / Lin, G. (Autor:in) / Hsiao, R.-S. (Autor:in) / Maleev, N.A. (Autor:in) / Blokhin, S.A. (Autor:in) / Kuo, H.-C. (Autor:in)

    Erschienen in:

    JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY ; 26 , 9/12 ; 1387-1395


    Erscheinungsdatum :

    2008-01-01


    Format / Umfang :

    9 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    621.3692





    InGaAs Quantum Well Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers Integration onto Silicon Substrates

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1994



    1.3 mum InGaAs Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers

    IEEE Lasers and Electro-optics Society | British Library Conference Proceedings | 2005