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    Titel :

    Absorption and Light Scattering in InGaN-on-Sapphire- and AlGaInP-Based Light-Emitting Diodes


    Beteiligte:
    Schad, S.-S. (Autor:in) / Neubert, B. (Autor:in) / Eichler, C. (Autor:in) / Scherer, M. (Autor:in) / Habel, F. (Autor:in) / Seyboth, M. (Autor:in) / Scholz, F. (Autor:in) / Hofstetter, D. (Autor:in) / Unger, P. (Autor:in) / Schmid, W. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.2004


    Format / Umfang :

    10 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    621.3692



    High Performance AlGaInP Light-emitting Diodes

    Kuo, C.P. / Fletcher, R.M. / Yu, J.G. et al. | IEEE | 1993


    High Performance AlGaInP Light-Emitting Diodes

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993


    Simulation of InGaN/GaN light-emitting diodes with patterned sapphire substrate

    Sheng, Y. / Xia, C. S. / Simon Li, Z. M. et al. | British Library Online Contents | 2013


    Erratum to: Simulation of InGaN/GaN light-emitting diodes with patterned sapphire substrate

    Xia, C. S. / Li, Z. M. / Sheng, Y. et al. | British Library Online Contents | 2015


    Very High-Efficiency Transparent-Substrate AlGaInP/GaP Light-Emitting Diodes

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1994