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    Titel :

    High Temperature Oxidation Behavior of Self-Bonded Silicon Carbide


    Beteiligte:
    Qingwei, H. (Autor:in) / Jiqing, G. (Autor:in) / Zhihao, J. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.1999


    Format / Umfang :

    4 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Unbekannt


    Klassifikation :

    DDC:    500



    Study of Oxidation Resistance of Silicon Nitride Bonded Silicon Carbide

    Gao, J. / Wang, L. / Wang, Y. et al | British Library Online Contents | 1995


    Microstructure of Reaction-Bonded Silicon Carbide

    Qingwei, H. / Zhihao, J. / Jiqiang, G. | British Library Online Contents | 2000


    Study of Silicon Carbide Material Bonded with Oxide

    Qian, W. / Zhihao, J. | British Library Online Contents | 2002


    High-temperature oxidation of silicon carbide in simulated atmospheric re-entry conditions

    Berton, B. / Bacos, M.P. / Demange, D. et al. | Tema Archiv | 1992


    Microstructure, Porosity and Resistivity in Reaction-Bonded Silicon Carbide

    Lu, Z. / Xiong, L. / Gao, J. et al | British Library Online Contents | 1999