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    Titel :

    An Original Design of MOSFET/IGBT Gate Circuit Layout to Suppress Power/Drive Interaction


    Beteiligte:
    Akhbari, M. (Autor:in) / Schanen, J. L. (Autor:in) / Roudet, J. (Autor:in) / Keradec, J. P. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.1998


    Format / Umfang :

    6 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    500.5 / 387.8



    An Original Design of MOSFET / IGBT Gate Circuit Layout to Suppress Power/Drive Interaction

    Akhbari, M. / Schanen, J. L. / Roudet, J. et al. | British Library Conference Proceedings | 1998


    High power IGBT converters with new gate drive and protection circuit

    Gediga, S. / Marquardt, R. / Sommer, R. | Tema Archiv | 1995


    High temperature gate drive circuit for SiC power MOSFET application

    Feng Qi / Longya Xu / Jing Ping et al. | IEEE | 2014


    Status and Trend of High Power IGBT Gate Drive Technology

    Du, Huiqing / Wei, Jun / Liu, Yuming et al. | Springer Verlag | 2022


    Status and Trend of High Power IGBT Gate Drive Technology

    Du, Huiqing / Wei, Jun / Liu, Yuming et al. | TIBKAT | 2022