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    Titel :

    Modelling of Transient Response in Far-Infrared Photoconductors


    Beteiligte:
    Haegel, N. M. (Autor:in) / Newton, C. (Autor:in) / Simoes, J. C. (Autor:in) / White, A. M. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1996-01-01


    Format / Umfang :

    6 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    500.5 / 387.8



    Moderate-fast transient response of the Ge:Ga photoconductors

    Fujiwara, M. / Hiromoto, N. / Araki, K. | Tema Archiv | 1995


    Ge:Ga far-infrared photoconductors for space applications

    Hiromoto, N. / Fujiwara, M. / Shibai, K. et al. | Tema Archiv | 1996


    Photoconductors and Arrays for the Far-Infrared

    Wolf, J. | British Library Online Contents | 1992


    Characterization of High Purity GaAs Far-Infrared Photoconductors

    Farhoomand, J. / McMurray, R. E. / Haller, E. et al. | British Library Online Contents | 1995


    Ultrafast response of multi-energy proton-bombarded GaAs photoconductors

    Lin, G.-R. / Pan, C.-L. | British Library Online Contents | 2000