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    Titel :

    THz Silicon Lasers Based on Donor Center Transitions


    Beteiligte:
    Shastin, V. N. (Autor:in) / Zhukavin, R. K. (Autor:in) / Pavlov, S. G. (Autor:in) / Hubers, H.-W. (Autor:in) / IEEE

    Kongress:

    International Conference; 2ND, Advanced optoelectronics and lasers; Proceedings of CAOL 2005 ; 2005 ; Yalta, Ukraine



    Erscheinungsdatum :

    2005-01-01


    Format / Umfang :

    76 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat no: 05TH8809



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    THz silicon lasers based on donor center transitions

    Shastin, V.N. / Zhukavin, R.Kh. / Pavlov, S.G. et al. | IEEE | 2005


    Gain in silicon lasers based on shallow donor transitions

    Zhukavin, R.Kh. / Pavlov, S.G. / Hovenier, J.N. et al. | IEEE | 2004


    Terahertz Donor and Raman Silicon Lasers

    Pavlov, S. G. / Hubers, H.-W. / Hovenier, J. N. et al. | IEEE | 2006


    The silicon lasers based on impurity state transitions

    Shastin, V.N. / Pavlov, S.G. / Zhukavin, R.Kh. et al. | IEEE | 2004


    Terahertz lasers based on intracentre transitions of group V donors in uniaxially deformed silicon

    Kovalevsky, K.A. / Abrosimov, N.V. / Zhukavin, R.Kh. et al. | Deutsches Zentrum für Luft- und Raumfahrt (DLR) | 2015

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