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    Titel :

    Analysis of Avalanche Behaviour for Paralleled MOSFETs


    Beteiligte:

    Kongress:

    World congress, Society of Automotive Engineers; SAE 2004 world congress



    Erscheinungsdatum :

    2004-01-01


    Format / Umfang :

    1595 pages


    Anmerkungen:

    Nos 2004-01-0001 to 2004-01-1791 with gaps



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Analysis of Avalanche Behaviour for Paralleled MOSFETs

    Murray, Anthony / Divins, David / Chen, Jingdong et al. | SAE Technical Papers | 2004


    2004-01-1595 Analysis of Avalanche Behaviour for Paralleled MOSFETs

    Chen, J. / Downer, S. / Murray, A. et al. | British Library Conference Proceedings | 2004


    Analysis of avalanche behaviour for paralled MOSFETs

    Chen,J. / Downer,S. / Murray,A. et al. | Kraftfahrwesen | 2004


    Paralleled A.C

    Heys, T.E. | Engineering Index Backfile | 1959


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    AGIRMAN ISMAIL / IZARD JEFFREY M / KIM HANJONG | Europäisches Patentamt | 2016

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