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    Titel :

    Simulation Study of the DC And AC Characteristics of an Improved InGaP/GaAs Heterostructure-Emitter Bipolar Transistor (HEBT) with an InGaP Wide Bandgap Collector


    Beteiligte:

    Kongress:

    Conference, Optoelectronic and microelectronic materials and devices; COMMAD 2002 ; 2002 ; Sydney, Australia



    Erscheinungsdatum :

    01.01.2002


    Format / Umfang :

    4 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat no 02EX601




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch