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    Titel :

    Minimisation of P Surface Segregation during Epitaxial Silicon Growth for the Fabrication of a Silicon-Based Quantum Computer


    Beteiligte:
    Oberbeck, L. (Autor:in) / Curson, N. J. (Autor:in) / Hallam, T. (Autor:in) / Simmons, M. Y. (Autor:in) / Goh, K. E. J. (Autor:in) / Schofield, S. R. (Autor:in) / Ruess, F. J. (Autor:in) / Clark, R. G. (Autor:in) / Gal, M. / IEEE

    Kongress:

    Conference, Optoelectronic and microelectronic materials and devices; COMMAD 2002 ; 2002 ; Sydney, Australia



    Erscheinungsdatum :

    2002-01-01


    Format / Umfang :

    4 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat no 02EX601




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch






    Epitaxial Silicon Doped With Antimony

    Huffman, James E. / Halleck, Bradley L. | NTRS | 1996



    High-Mobility Epitaxial Silicon Wafers

    Stermer, R. L., Jr / Fripp, A. L., Jr. / Jones, A. et al. | NTRS | 1985