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    Titel :

    High Performance 1300-nm Dilute-Nitride Quantum Well Lasers by MOCVD



    Kongress:

    18th, International semiconductor laser conference ; 2002 ; Garmisch-partenkirchen, Germany



    Erscheinungsdatum :

    2002-01-01


    Format / Umfang :

    2 pages




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





    Characteristics of dilute-nitride quantum well lasers

    Mawst, L.J. / Yeh, J.-Y. / Tansu, N. | IEEE | 2005


    Characteristics of Dilute Nitride Quantum Well Lasers

    Mawst, L. | British Library Conference Proceedings | 2005


    The 3dB Bandwidth of Strain-Compensated Dilute-Nitride Quantum-Well Lasers

    Lasers and Electro-optics Society (Institute of Electrical and Electronics Engineers) | British Library Conference Proceedings | 2004


    Carrier confinement in 1300-nm InGaAsN quantum-well lasers

    Tansu, N. / Yeh, J.-Y. / Mawst, L.J. | IEEE | 2003