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    Titel :

    ThP3 The Properties of Ion-Implanted InGaAs Single Quantum-Well Semiconductor Saturable Absorber Mirrors for Passive Mode-Locking


    Beteiligte:

    Kongress:

    Annual meeting; 14th, IEEE; Lasers and Electro-Optics Society ; 2001 ; San Diego, CA



    Erscheinungsdatum :

    01.01.2001


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat no 01CH37242




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





    Fast quantum-dot saturable absorber for passive mode-locking of solid-state lasers

    Rafailov, E.U. / White, S.J. / Lagatsky, A.A. et al. | IEEE | 2003




    Silicon-germanium saturable absorber mirrors

    Grawert, F.J. / Akiyama, S. / Gopinath, J.T. et al. | IEEE | 2004