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    Titel :

    Photoluminescence of GaAlAs/GaAs quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition [3556-31]


    Beteiligte:
    Song, X. (Autor:in) / Qu, Y. (Autor:in) / Li, M. (Autor:in) / Gao, X. (Autor:in) / Chen, C. / SPIE

    Kongress:

    Meeting, Electro-optic and second harmonic generation materials, devices, and applications ; 1998 ; Beijing



    Erscheinungsdatum :

    1998-01-01


    Format / Umfang :

    3 pages




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Structural characteristic of GaAlAs multiepitaxial layer heterostructure [3556-29]

    Li, M. / Qu, Y. / Li, X. et al. | British Library Conference Proceedings | 1998


    Electroluminescence and photoluminescence from heavily carbon-doped GaAs [3556-27]

    Tian, X. / Liu, X. / Chen, Y. et al. | British Library Conference Proceedings | 1998




    Nr. 3556

    DataCite | 1913