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    Titel :

    Forward current-voltage characteristics of HgCdTe p-on-n photodiodes [3379-66]


    Beteiligte:
    Li, X. (Autor:in) / Zhao, J. (Autor:in) / Lu, H. (Autor:in) / Fang, J. (Autor:in) / Dereniak, E. L. / Sampson, R. E. / SPIE

    Kongress:

    Conference; 5th, Infrared detectors and focal plane arrays ; 1998 ; Orlando; FL



    Erscheinungsdatum :

    1998-01-01


    Format / Umfang :

    7 pages




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Parameter determination from current–voltage characteristics of HgCdTe photodiodes in forward bias region

    Li, Y. / Ye, Z. H. / Lin, C. et al. | British Library Online Contents | 2013


    Nr. 3379

    DataCite | 1910


    Short-wavelength infrared HgCdTe photovoltaic detectors fabricated by boron implantation [3379-68]

    Zhao, J. / Wang, Q. / Fang, J. et al. | British Library Conference Proceedings | 1998


    256 x 256 HgCdTe MWIR array grown on Ge substrates [3379-64]

    Zanatta, J. P. / Luchier, N. / Audebert, P. et al. | British Library Conference Proceedings | 1998


    128 x 128 hybrid FPAs using MBE HgCdTe films on GaAs substrates [3379-65]

    Esaev, D. G. / Klimenko, A. G. / Kozlov, A. I. et al. | British Library Conference Proceedings | 1998