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    Titel :

    Optimization of MQW Structure in 630 nm AlGaInP Laser Diodes for High-Temperature Operation


    Beteiligte:
    Tanaka, T. (Autor:in) / Yanagisawa, H. (Autor:in) / Yano, S. (Autor:in) / Minagawa, S. (Autor:in) / IEEE

    Kongress:

    13th, International semiconductor laser conference ; 1992 ; Takamatsu; Japan



    Erscheinungsdatum :

    1992-01-01


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    Described as the conference digest



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





    Mg-doped AlGaInP Laser Diodes with High Characteristic Temperature

    IEEE | British Library Conference Proceedings | 2003


    Mg-doped AlGaInP laser diodes with high characteristic temperature

    Onishi, T. / Inoue, K. / Takayama, T. et al. | IEEE | 2003


    Long Term Operation Reliability of AlGaInP Visible Laser Diodes

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1994


    Improvement of characteristic temperature for AlGaInP laser diodes

    Jen-Yu Chu, / Cha-Chang Hung, / Man-Fang Huang, et al. | IEEE | 2003