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    Titel :

    High-power GRIN-SCH lasers with low-threshold-current density and high efficiency [2886-533]



    Kongress:

    Conference, Semiconductor lasers II ; 1996 ; Beijing



    Erscheinungsdatum :

    1996-01-01


    Format / Umfang :

    4 pages




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    LPE growth of high-power InGaAsP/GaAs SCH SQW lasers [2886-547]

    Bo, B. / Zhang, B. / Zhu, B. et al. | British Library Conference Proceedings | 1996


    Nr. 2886

    DataCite | 1900


    Semiconductor lasers in China (Invited Paper) [2886-518]

    Chen, L. / SPIE-The International Society for Optical Engineering | British Library Conference Proceedings | 1996


    0.808-m InGaAsP/GaAs SCH lasers [2886-566]

    Zhu, B. / Zhang, X. / Bo, B. et al. | British Library Conference Proceedings | 1996


    MBE growth of low-threshold-current InGaAs VCSEL structure [2886-542]

    Lin, Y. / Zhou, Z. / Pan, Z. et al. | British Library Conference Proceedings | 1996