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    Titel :

    Effect of p-dopant positioning in low-threshold, InGaAs/GaAs/AlGaAs, MQW GRINSCH lasers with GaAs etch-stop layer for multiwavelength applications [2683-03]


    Beteiligte:

    Kongress:

    Conference, Fabrication, testing, and reliability of semiconductor lasers ; 1996 ; San Jose; CA



    Erscheinungsdatum :

    01.01.1996


    Format / Umfang :

    10 pages


    Anmerkungen:

    Held as part of the SPIE OE/LASE '96 Symposium




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Wavelength Shifting of GaAs GRINSCH Lasers by Ion Implantation

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997



    InGaAs GRINSCH-SQW Lasers with Novel Carbon Delta Doped Contact Layer

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996



    Low Threshold InGaAs-AlGaAs-GaAs Strained-Layer Quantum Well Heterostructure Square Ring Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993