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    Titel :

    A New Class of Normal Incidence P-type Strained-Layer InGaAs/InAlAs and InGaAs/GaAs Quantum Well Infrared Photodetectors for 8-12m Detection



    Kongress:

    7th Annual meeting, LEOS '94 ; 1994 ; Boston; MA


    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.1994


    Format / Umfang :

    25 pages


    Anmerkungen:

    In 2 vols; IEEE Cat no 94CH3371-2



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    A Normal Incidence Two-Color P-Type Compressive Strained-Layer InGaAs/GaAs Quantum Well Infrared Photodetector

    Wang, Y. H. / Chu, J. / Li, S. S. et al. | British Library Conference Proceedings | 1995


    Normal Incidence P-Type InGaAs/InGaAlAs Strained Quantum Well Infrared Photodetector

    Lee, C. / Zhou, W. / Choi, K. K. et al. | British Library Conference Proceedings | 1995


    Performance of Strained InGaAs/InAlAs Multiple-Quantum-Well Electroabsorption Modulators

    Ido, T. / Sano, H. / Tanaka, S. et al. | British Library Online Contents | 1996


    Photoresponse of InGaAs/GaAs multiple-period very-long-wavelength quantum well infrared photodetectors

    Lu, X. Q. / Xiong, D. Y. / Tong, X. | British Library Online Contents | 2015