1–5 von 5 Ergebnissen
|

    Prediction of low dose-rate effects in power metal oxide semiconductor field effect transistors based on isochronal annealing measurements

    Dusseau, L. / Randolph, T.L. / Schrimpf, R.D. et al. | Tema Archiv | 1997
    Schlagwörter: Halbleiterbauelement

    Strom fließt bald aus dünnen Schichten

    Solarenergie: Erste kommerzielle Produktion von CIS-Solarmodulen angelaufen
    Boeckh, Martin | IuD Bahn | 2000
    Schlagwörter: Halbleiterbauelement

    Acceptance checking methods for UHF electronic components

    Blinov, A.V. / Kanakov, A.G. / Trusov, V.A. et al. | Tema Archiv | 2000
    Schlagwörter: Halbleiterbauelement

    IGBT device application aspects for 50-kW zero-current-transition inverters

    Li, Y.P. / Lee, F.C. / Boroyevich, D. | Tema Archiv | 2004
    Schlagwörter: Halbleiterbauelement