In der Kfz-Elektronik haben sich MOSFETs nahezu alle Applikationsfelder erobert, in denen Leistungsschalter gefragt sind. Sie gelten als preiswerte und robuste Bauelemente. Einzig der wirkungsvolle Schutz des MOSFET gegen Überspannung an Gate und Drain als zentraler Bestandteil der Systemzuverlässigkeit war bislang noch nicht befriedigend gelöst. Die Antwort dazu liefert ST Microelectronics mit einer neuen MOSFET-Generation auf Basis der Stripline-Technik, die einen Gate-Überspannungsschutz und eine aktive Drain-Überspannungsklemmung als funktionalen Bestandteil ihrer Struktur enthalten. Da sie im Gegensatz zu den smarten Leistungsschaltern ohne Zusatzmasken auskommt, liegen die Kosten nur geringfügig über denen vergleichbarer MOSFET-Typen. Die neue MOSFET-Generation bildet somit eine Brückenfunktion zwischen Standard-MOSFETs und intelligenten Low-Side-Schaltern. In Mustern verfügbar sind derzeit ein 15-mOhm-Typ und ein 8-mOhm-Typ im TO220-Gehäuse.
Neue überspannungsgeschützte MOSFETs
New MOSFET with overvoltage protection
1998
8 Seiten, 11 Bilder, 1 Tabelle
Aufsatz (Konferenz)
Deutsch
Neue Hochstrom MOSFETs fuer Hochleistungsanwendungen
Kraftfahrwesen | 2005
|SJ-MOSFETs setzen neue Massstabe
British Library Online Contents | 2013
Neue Gehaeuse fuer Leistungs-MOSFETs
Kraftfahrwesen | 2012
|Neue Ansteuerverfahren von MOSFETs und IGBTs
British Library Conference Proceedings | 1998
|Power-MOSFETs: Neue Baureihe, besserer Gutefaktor
British Library Online Contents | 2013