In der Kfz-Elektronik haben sich MOSFETs nahezu alle Applikationsfelder erobert, in denen Leistungsschalter gefragt sind. Sie gelten als preiswerte und robuste Bauelemente. Einzig der wirkungsvolle Schutz des MOSFET gegen Überspannung an Gate und Drain als zentraler Bestandteil der Systemzuverlässigkeit war bislang noch nicht befriedigend gelöst. Die Antwort dazu liefert ST Microelectronics mit einer neuen MOSFET-Generation auf Basis der Stripline-Technik, die einen Gate-Überspannungsschutz und eine aktive Drain-Überspannungsklemmung als funktionalen Bestandteil ihrer Struktur enthalten. Da sie im Gegensatz zu den smarten Leistungsschaltern ohne Zusatzmasken auskommt, liegen die Kosten nur geringfügig über denen vergleichbarer MOSFET-Typen. Die neue MOSFET-Generation bildet somit eine Brückenfunktion zwischen Standard-MOSFETs und intelligenten Low-Side-Schaltern. In Mustern verfügbar sind derzeit ein 15-mOhm-Typ und ein 8-mOhm-Typ im TO220-Gehäuse.


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    Titel :

    Neue überspannungsgeschützte MOSFETs


    Weitere Titelangaben:

    New MOSFET with overvoltage protection


    Beteiligte:
    Sax, H. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1998


    Format / Umfang :

    8 Seiten, 11 Bilder, 1 Tabelle


    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Deutsch




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