Fuer den Pulverauftrag duenner Resistorschichten aus CrSi2-TaSi2 werden fuer Temperaturen zwischen 2000 und 10000 K thermodynaische Dissoziationspotentiale beider Silizide berechnet und angegeben. Ionenpotentiale des gesamten Systems -Dichte bei 293 K 4,68.10(exp3) kg.m(exp-3) sind graphisch dargestellt. Beim Explosionspulverauftrag erfolgt wegen des grossen Temperatrurunterschieds (670 K der Unterlage, 2300 K des Kondensats) eine rasche Schichtdurchhaertung. Beim Anlassen koennen sich Atome in der amorphen Schicht in eine dem Ionenpotentialminimum entsprechende, vorteilhafte Position verschieben. Die bei der thermodynamischen Analyse angewendete Pseudopotentialmethode hilft bei der Aufklaerung des Gefuegeumwandlungsmechanismus. (TIB/OSTA)


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    Titel :

    Theoretische Begruendung der Erzeugnung von duennen Resistorschichten auf der Grundlage von CrSi2-TaSi2 als feste Substitutionsloesungen


    Weitere Titelangaben:

    Titel russisch


    Beteiligte:
    Sasov, A.M. (Autor:in) / Gelcinskinh, B.R. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1987


    Format / Umfang :

    7 Seiten, 2 Bilder, 1 Tabelle, 7 Quellen


    Medientyp :

    Report


    Format :

    Print


    Sprache :

    Russisch




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