New process technologies are extending the application range of IGBT modules. A 1400 V IGBT with significantly improved efficiency has been developed using an optimized epitaxial (punch-through) process. This new 1400 V device has a square turn-off switching SOA making it suitable for 575/600 VAC inverter applications. A very low saturation voltage 250 V IGBT has been developed using a trench gate structure. This new 250 V device offers significant size and efficiency advantages in battery powered applications including fork lift truck and UPS inverters.


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    Titel :

    New process technologies improve IGBT module efficiency


    Weitere Titelangaben:

    Neue Prozeßtechnologien verbessern die IGBT-Modul-Effizienz


    Beteiligte:
    Motto, E.R. (Autor:in) / Donlon, J.F. (Autor:in) / Mori, S. (Autor:in) / Iida, T. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1995


    Format / Umfang :

    6 Seiten, 13 Bilder, 3 Tabellen, 5 Quellen




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




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