Für einen neuen Dotierungsprozeß von Diamanten während des Kristallwachstums hat das amerikanische Unternehmen SI Diamond Technology in Houston ein Patent erhalten. Die Dotierung erfolgt während des Diamantwachstums bei 970 Grad Celsius in einer Glühdraht-CVD-Kammer mit Dotierungsionen von etwa 10 Kiloelektronenvolt. Dotierungen wurden bereits mit den Elementen Natrium, Rubidium und Phosphor durchgeführt. Gelungen ist die Herstellung von p-Typ-Halbleitern. Dagegen sind weitere Entwicklungsarbeiten für n-Typ-Diamantmaterialien erforderlich. Anwendungsbeispiele für Halbleiterwerkstoffe auf Diamantbasis sind hitzefeste Komponenten der Mikroelektronik für den Einsatz in Raketendüsen oder Kernreaktoren.
Patentschutz für das Dotieren von Diamanten. Amerikanisches Verfahren arbeitet mit energiearmen Dotierungsionen von rund 100 Kiloelektronvolt
Blick durch die Wirtschaft ; 36 , 243 16.12.93 ; 8
1993
1 Seite
Aufsatz (Zeitschrift)
Deutsch
Elektronenenergie , Fremdatomzusatz , Diamant , Kristallwachstum , Halbleiterwerkstoff , Temperaturgang , Druckabhängigkeit , Gasphasenabscheidung , chemische Abscheidung , Wasserstoff , Methan , Ionenimplantation , Natrium , Rubidium , Phosphor , Germanium , Kerntechnik , Kernreaktor , Raumfahrttechnik , Brennkammer , Rakete , Wärmebelastung , Kernstrahlung , Dosimetrie
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