Es wird von der Entwicklung eines rauscharmen monolithischen W-Band-Verstärkers mit planparallelem Wellenleiter berichtet, der einen pseudomorphen AlGaAs/InGaAs/GaAs-HEMT verwendet. Der Verstärker weist bei einer Verstärkung von 12 dB zwischen 92 und 96 GHz eine Rauschzahl von 4,2 - 4,8 dB auf. Die Schaltung wurde mit einem W-Band-Rauschzahl-Meßsystem auf dem Wafer getestet. Die ermutigenden Ergebnisse weisen auf eine vielversprechende Zukunft für den Einsatz dieser Wellenleiterstrukturen in MMICs.


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    Titel :

    W-band monolithic pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMT CBCPW LNA


    Weitere Titelangaben:

    Rauscharmer monolithischer W-Band-CBCPw-Verstärker mit pseudomorphem AlGaAs/InGaAs/GaAs-HEMT


    Beteiligte:
    Ton, T.N. (Autor:in) / Wang, H. (Autor:in) / Chen, S. (Autor:in) / Tan, K.L. (Autor:in) / Dow, G.S. (Autor:in) / Allen, B.R. (Autor:in) / Berenz, J. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Electronics Letters ; 29 , 20 ; 1804-1805


    Erscheinungsdatum :

    1993


    Format / Umfang :

    2 Seiten, 2 Bilder, 8 Quellen




    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




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