Ausgehend von dem im allgemeinen geringen Schaltungsaufwand für Aktor-Ansteuerungen im Kraftfahrzeugbereich, wird die Ansteuerung mit einem high-side-Leistungs-FET vorgenommen. Die Temperatur in der FET-Sperrschicht steigt beträchtlich während des Rückschlagpulses an, der bei der Entmagnetisierung der Last auftritt. Die Firma Continental untersucht dazu den Temperaturverlauf in der Transistor-Sperrschicht mit Hilfe der dVSD-Messmethode (delta Voltage Source Drain). Resultate anhand von Diagrammen und Schlussfolgerungen werden aufgezeigt. Man kommt zum Ergebnis, dass wegen der zunehmenden Zelldichte eine vorsichtige Auswahl von Silizium- und Gehäusetechnik erforderlich wird.


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    Titel :

    Sicher schalten. Das Temperaturverhalten von Power-FETs bei Rückschlagpulsen


    Weitere Titelangaben:

    Temperature behaviour of power FETs with stroke back pulses


    Beteiligte:

    Erschienen in:

    Elektronik, Poing ; 57 , 8 ; 51-53


    Erscheinungsdatum :

    2008


    Format / Umfang :

    3 Seiten, 5 Bilder



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Deutsch