Ausgehend von dem im allgemeinen geringen Schaltungsaufwand für Aktor-Ansteuerungen im Kraftfahrzeugbereich, wird die Ansteuerung mit einem high-side-Leistungs-FET vorgenommen. Die Temperatur in der FET-Sperrschicht steigt beträchtlich während des Rückschlagpulses an, der bei der Entmagnetisierung der Last auftritt. Die Firma Continental untersucht dazu den Temperaturverlauf in der Transistor-Sperrschicht mit Hilfe der dVSD-Messmethode (delta Voltage Source Drain). Resultate anhand von Diagrammen und Schlussfolgerungen werden aufgezeigt. Man kommt zum Ergebnis, dass wegen der zunehmenden Zelldichte eine vorsichtige Auswahl von Silizium- und Gehäusetechnik erforderlich wird.
Sicher schalten. Das Temperaturverhalten von Power-FETs bei Rückschlagpulsen
Temperature behaviour of power FETs with stroke back pulses
Elektronik, Poing ; 57 , 8 ; 51-53
2008
3 Seiten, 5 Bilder
Aufsatz (Zeitschrift)
Deutsch
Sicher schalten: Das Temperaturverhalten von Power-FETs bei Ruckschlagpulsen
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