Lange Zeit war der GTO-Thyristor das dominierende Halbleiterbauelement in der Traktionstechnik, der heute aber durch IGBTs abgelöst wird. Der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) betsht in seiner Grundstruktur aus einem pnp-Transistor und einer MOS-Struktur, durch die das Bauelement über eine Spannung am Gate angesteuert wird. Vorteile gegenüber über dem Thyristor: Mit der Transistorkennlinie begrenzt der IGBT Überströme, die Ansteuerung durch eine Spannung am Gate ist gegenüber dem Thyristor sehr viel einfacher zu realisieren und zum Ein- und Abschalten ist keine Beschaltung erforderlich. Der Einfluß der Höhenstrahlung ist weitgehend unter Kontrolle.

    A long time the GTO Thyristor was the dominating device in traction applications. Nowadays, new drives are realised with IGBTs. The most important requirements are reliability as predictable life time under known stress conditions, cosmic ray stability, and ruggedness as the capability of the device to withstand conditions at its limits or in overload without being destroyed.


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    Titel :

    Entwicklungstrends bei Halbleiter-Bauelementen für die Traktionstechnik


    Weitere Titelangaben:

    Trends in power semiconductor devices for traction application


    Beteiligte:
    Lutz, Josef (Autor:in)

    Erschienen in:

    Elektrische Bahnen ; 105 , 3 ; 130-137


    Erscheinungsdatum :

    2007


    Format / Umfang :

    8 Seiten, 12 Bilder, 1 Tabelle, 9 Quellen



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Deutsch