Im Fahrzeugbau beobachtet man über die letzten Jahre einen stetig steigenden Bedarf an elektrischer Funktionalität. Der Leistungs-MOSFET stellt hier das zentrale Element dar. Er ist leicht zusteuern und zeigt exzellentes Schaltverhalten mit sehr geringen Verlusten im eingeschalteten Zustand. Der Siegeszug der Drehstrom-Antriebe in elektrischen Kfz-Antrieben ist nicht aufzuhalten. Dazu werden die Leistungsschalter als sogenanntes 6-Pack verschaltet. Vielfach kommen dazu heute diskrete MOSFETs zum Einsatz, die parallel geschaltet und in Halbbrücken zusammengefasst werden. Ixys hat speziell hierfür das neue, isolierte diskrete Gehäuse ISOPLUS-DIL entwickelt. Besonders in Hochstromanwendungen ist die Reduktion der statischen und dynamischen Verluste das Ziel. Die heutige Antwort der Hersteller von Leistungshalbleitern ist die Entwicklung des Trench-MOSFET. Im Vergleich zur Standard-Planar-Technologie führt die Verwendung von Trenches (Gräben) in der Zellenstruktur und die Erhöhung der Zellendichte auf dem Chip zu einem immer niedrigeren RDSon - und das bei schrumpfender Chipgröße.
Power mit Sixpack. GWM: Trench-MOSFETs im ISOPLUS-DIL-Gehäuse
Elektronik Industrie ; 36 , 10 ; 24-26
2005
3 Seiten, 4 Bilder, 2 Tabellen
Aufsatz (Zeitschrift)
Deutsch
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