In den letzten Jahren gelang die Verstaerkung von Mikrowellen jenseits des Ku-Bandes mit Hilfe von GaAs-Impattdioden und GaAs-Feldeffekttransistoren. Diese Entwicklung wurde durch eine Material-Technologie unterstuetzt, mit der es moeglich ist, reproduzierbare Materialparameter fuer die Bauteilherstellung zu erhalten. Vf. gibt einen Ueberblick ueber die Material-Technologie bei Texas Instruments. Anschliessend werden zwei 4 Watt-Mikrowellenschaltungen vorgestellt, die bei 15 GHz bzw. 9,5 GHz einzusetzen sind.
Status of GaAs technology and applications to high power, high gain microstrip amplifiers using FETs and Impatt diodes
Stand der GaAs-Technologie und die Anwendungen als Mikrostreifenverstaerker mit hoher Leistung und Verstaerkung mit Verwendung von FETs und Impattdioden
1979
12 Seiten, 13 Bilder, 12 Quellen
Aufsatz (Konferenz)
Englisch
Second Harmonic Power Generation from GaAs-Impatt Diodes at 210 GHz
British Library Online Contents | 1998
|IMPATT integrated active microstrip antenna
Online Contents | 2000
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