Die Herstellung von III-V-Einkristallen mit Hilfe der Methode der Loesungszonen erlaubt tiefe Wachstumstemperaturen und damit geringere Kontamination mit Tiegelmaterial und geringeren thermodynamisch bedingten Leerstelleneinbau. Der Aufbau der vertikalen Quarzampullen-Apparatur wird beschrieben; Versuche der tiegelfreien Kristallzuechtung im Vakuum und in H2 sind im Spacelab vorgesehen. Die Experimente wurden mit GaSb (560, 500 und 400 Cel Wachstumstemperatur) und InSb (400 Cel) durchgefuehrt. Die Kristalle wurden durch Anaetzen, Tieftemperatur-Photolumineszenz und Hall-Effekt-Messungen charakterisiert. Die Versetzungsdichte nimmt mit der Entfernung vom Keimkristall ab. Die bandkantennahe Lumineszenz nimmt im Vergleich zur Linie des Antistoechiometriedefekts mit Entfernung vom Keim zu. Die Ladungstraegerdichte nimmt ab.


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    Titel :

    Herstellung von III-V-Verbindungshalbleitern mit Loesungszonen


    Beteiligte:
    Benz, K.W. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1978


    Format / Umfang :

    8 Seiten, 7 Bilder, 9 Quellen


    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Deutsch